基本信息:
- 专利标题： 氮化镓发光二极管的制备方法
- 申请号：CN202111543401.8 申请日：2021-12-16
- 公开(公告)号：CN114141915B 公开(公告)日：2023-09-01
- 发明人： 徐平 , 许孔祥 , 冯磊 , 黄胜蓝
- 申请人： 湘能华磊光电股份有限公司
- 申请人地址： 湖南省郴州市白露塘有色金属产业园
- 专利权人： 湘能华磊光电股份有限公司
- 当前专利权人： 湘能华磊光电股份有限公司
- 当前专利权人地址： 湖南省郴州市白露塘有色金属产业园
- 代理机构： 长沙七源专利代理事务所
- 代理人： 张勇; 刘伊旸
- 主分类号： H01L33/00
- IPC分类号： H01L33/00 ; H01L33/22 ; H01L33/06 ; H01L33/02 ; H01L33/32
摘要：
本发明公开了一种氮化镓发光二极管的制备方法，涉及半导体领域，制备方法包括：提供蓝宝石衬底；对蓝宝石衬底进行常规清洗处理后在其上面沉积SiO2薄膜；在SiO2薄膜上表面制作圆形图案的光刻胶膜层；去除多余的SiO2膜层，在蓝宝石表面形成光刻胶和SiO2薄膜双掩膜结构的多个凹型坑；将表面形成有多个凹型坑的蓝宝石衬底进行干法刻蚀，并去除SiO2膜层，在蓝宝石衬底的表面形成多个V形孔；蒸镀Al单质薄膜，使Al膜完全填充V形孔；进行退火处理，使铝膜球聚形成铝球；生长氮化镓外延层，获得完全结构的外延片。上述制备方法能够提高GaN薄膜的晶体质量，降低位错密度，有效提高LED芯片的发光效率及发光强度。
公开/授权文献:
- CN114141915A 氮化镓发光二极管的制备方法 公开/授权日：2022-03-04