基本信息:
- 专利标题： 半导体结构的形成方法
- 申请号：CN202010963310.9 申请日：2020-09-14
- 公开(公告)号：CN114188276B 公开(公告)日：2025-08-22
- 发明人： 纪世良 , 肖杏宇 , 张海洋
- 申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- 申请人地址： 上海市浦东新区张江路18号
- 专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- 当前专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市浦东新区张江路18号
- 代理机构： 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理人： 徐文欣
- 主分类号： H10D84/01
- IPC分类号： H10D84/01 ; H10D84/03 ; H10D84/83
摘要：
一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在衬底上形成若干分立的纳米结构，相邻的纳米结构之间具有凹槽；在衬底上形成第一介质层和初始隔离结构，所述第一介质层的顶部表面低于所述纳米结构的顶部表面，且所述第一介质层位于所述初始隔离结构部分侧壁表面，所述初始隔离结构位于至少一个所述凹槽内；对第一介质层暴露出的所述初始隔离结构进行刻蚀，形成隔离结构。所述方法形成的半导体结构性能得到提升。
公开/授权文献:
- CN114188276A 半导体结构的形成方法 公开/授权日：2022-03-15