基本信息:
- 专利标题： 半导体结构及其形成方法
- 申请号：CN202010975880.X 申请日：2020-09-16
- 公开(公告)号：CN114267674B 公开(公告)日：2025-08-22
- 发明人： 郑二虎 , 纪世良 , 张冬平
- 申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- 申请人地址： 上海市浦东新区张江路18号
- 专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- 当前专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市浦东新区张江路18号
- 代理机构： 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理人： 徐文欣
- 主分类号： H10D84/83
- IPC分类号： H10D84/83 ; H10D84/01 ; H10D84/03
摘要：
一种半导体结构及其形成方法，其中，方法包括：提供基底，所述基底包括第一隔离区；在所述基底上形成多个栅极结构以及中间层，所述中间层还位于栅极结构侧壁面，且至少2个栅极结构横跨所述第一隔离区；刻蚀第一隔离区上的栅极结构及相邻栅极结构间的中间层，在中间层内形成贯穿第一隔离区上的多个栅极结构的第一开口，刻蚀所述第一隔离区上的栅极结构及相邻栅极结构间的中间层的工艺中，对所述栅极结构和中间层的刻蚀选择比在预设范围内。从而，改善了半导体结构的性能和可靠性。
公开/授权文献:
- CN114267674A 半导体结构及其形成方法 公开/授权日：2022-04-01