基本信息:
- 专利标题： 一种氮化物发光二极管的制备方法
- 申请号：CN202111624036.3 申请日：2021-12-28
- 公开(公告)号：CN114284406B 公开(公告)日：2023-08-01
- 发明人： 徐平 , 唐海马
- 申请人： 湘能华磊光电股份有限公司
- 申请人地址： 湖南省郴州市白露塘有色金属产业园
- 专利权人： 湘能华磊光电股份有限公司
- 当前专利权人： 湘能华磊光电股份有限公司
- 当前专利权人地址： 湖南省郴州市白露塘有色金属产业园
- 代理机构： 长沙七源专利代理事务所
- 代理人： 张勇; 刘伊旸
- 主分类号： H01L33/12
- IPC分类号： H01L33/12 ; H01L33/24 ; H01L33/06 ; H01L33/14 ; H01L33/32 ; H01L33/00
摘要：
本申请公开了一种氮化物发光二极管的制备方法，依次包括：处理蓝宝石衬底、生长低温GaN缓冲层、生长非掺杂GaN层、生长掺杂Si的n型GaN层、生长第一半导体层、生长第二半导体层、生长多量子阱层、生长AlGaN电子阻挡层、生长掺杂Mg的P型GaN层，降温冷却，其中生长第一半导体层为生长形成V型坑的GaN层，生长第二半导体层为生长掺碳、氢和氧的GaN层。本发明通过引入第一半导体层和第二半导体层来改善Droop现象，进而提升LED的发光效率，并提升抗静电能力。
公开/授权文献:
- CN114284406A 一种氮化物发光二极管的制备方法 公开/授权日：2022-04-05