基本信息:
- 专利标题： 一种基片曝光方法、装置、电子设备及存储介质
- 申请号：CN202210244571.4 申请日：2022-03-14
- 公开(公告)号：CN114563930B 公开(公告)日：2024-05-14
- 发明人： 高荣荣 , 王镇辉 , 付纯鹤 , 柏鳗晏 , 赵伟卫
- 申请人： 北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所)
- 申请人地址： 北京市北京经济技术开发区泰河三街1号
- 专利权人： 北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所)
- 当前专利权人： 北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所)
- 当前专利权人地址： 北京市北京经济技术开发区泰河三街1号
- 代理机构： 北京超凡宏宇知识产权代理有限公司
- 代理人： 刘凤
- 主分类号： G03F7/20
- IPC分类号： G03F7/20
摘要：
本申请提供了一种基片曝光方法、装置、电子设备及存储介质，基片曝光方法包括：基于待曝光的目标基片中的标记点，确定目标基片的水平位置偏移信息；确定目标基片中每个预设曝光区域的实际水平位置信息；基于采集到的任一预设曝光区域与曝光组件之间的像平面的位置信息，确定该预设曝光区域是否满足曝光条件；若满足，则对目标基片的该预设曝光区域进行曝光处理。本申请在曝光组件水平对准基片上任一预设曝光区域的基础上，还对该预设曝光区域上形成的像平面进行调整，使得该预设曝光区域内的像平面满足曝光条件，实现了针对非标准厚度规格的基片中任一预设曝光区域的准确曝光，在提高对基片曝光的通用性的同时，可以提升对基片的曝光质量。
公开/授权文献:
- CN114563930A 一种基片曝光方法、装置、电子设备及存储介质 公开/授权日：2022-05-31