基本信息:
- 专利标题： 分栅快闪存储单元及其制备方法
- 申请号：CN202210433719.9 申请日：2022-04-24
- 公开(公告)号：CN114823684B 公开(公告)日：2025-03-28
- 发明人： 王旭峰 , 于涛 , 李冰寒
- 申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- 申请人地址： 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区祖冲之路1399号
- 专利权人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- 当前专利权人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区祖冲之路1399号
- 代理机构： 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
- 代理人： 周耀君
- 主分类号： H10B41/30
- IPC分类号： H10B41/30 ; H10B41/50 ; H10D64/27 ; H10D64/01
摘要：
本发明提供了一种分栅快闪存储单元及其制备方法，包括：衬底；第一分栅结构和第二分栅结构，位于所述衬底上，且均包括第一浮栅、第二浮栅及擦除栅，所述擦除栅覆盖所述第一浮栅的部分顶面，所述第二浮栅覆盖所述第一浮栅的侧面并向上延伸覆盖所述擦除栅的侧面，且所述第二浮栅与所述第一浮栅直接接触；源线层，位于所述第一分栅结构和所述第二分栅结构之间的所述衬底上，且两个所述第二浮栅分别覆盖所述源线层的一个侧面；源区，位于所述源线层下方的衬底内，且与所述源线层电性连接。本发明能够简化互连工艺和制备工艺、降低互连接触电阻及利于缩小分栅快闪存储单元面积。
公开/授权文献:
- CN114823684A 分栅快闪存储单元及其制备方法 公开/授权日：2022-07-29
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H10 | 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件 |
| ----H10B | 电存储器件 |
| ------H10B41/00 | 具有浮栅的电可擦除和可编程只读存储器 |
| --------H10B41/30 | .以存储器核心区为特征的 |