基本信息:
- 专利标题： 一种用于提高微型LED调制带宽的外延结构及其制备方法
- 申请号：CN202210775763.8 申请日：2022-07-01
- 公开(公告)号：CN115000258B 公开(公告)日：2025-04-25
- 发明人： 田朋飞 , 袁泽兴 , 崔旭高 , 顾而丹
- 申请人： 复旦大学 , 复旦大学义乌研究院
- 申请人地址： 上海市杨浦区邯郸路220号
- 专利权人： 复旦大学,复旦大学义乌研究院
- 当前专利权人： 复旦大学,复旦大学义乌研究院
- 当前专利权人地址： 上海市杨浦区邯郸路220号
- 代理机构： 北京维正专利代理有限公司
- 代理人： 张伟
- 主分类号： H10H20/812
- IPC分类号： H10H20/812 ; H10H20/815 ; H10H20/01
摘要：
本申请涉及一种用于提高微型LED调制带宽的外延结构及其制备方法，涉及半导体光电器件的领域，其包括包括外延衬底，外延衬底上依次生长有GaN缓冲层、n型GaN层、InGaN/GaN多量子阱有源区、p型AlGaN电子阻挡层和p型GaN层，InGaN/GaN多量子阱有源区包括交错堆叠的GaN量子势垒层和InGaN量子阱层，InGaN/GaN多量子阱有源区和n型GaN层之间设置有第一二维材料层，相邻GaN量子势垒层和InGaN量子阱层之间均穿插有第二二维材料层，InGaN/GaN多量子阱有源区和p型AlGaN电子阻挡层之间设置有第三二维材料层。本申请具有阻挡穿透位错的生长还可以降低量子势垒层与量子阱层之间的晶格失配，进而减弱微型LED器件的极化电场，提高电子空穴的空间重叠率，从而提升微型LED器件的调制带宽以及发光效率的效果。
公开/授权文献:
- CN115000258A 一种用于提高微型LED调制带宽的外延结构及其制备方法 公开/授权日：2022-09-02
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H10 | 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件 |
| ----H10H | 具有势垒的无机发光半导体器件注释1.此小类涵盖发射可见光、红外线 |
| ------H10H20/00 | 具有势垒的单独的无机发光半导体器件，例如发光二极管 |
| --------H10H20/80 | .构造细节 |
| ----------H10H20/81 | ..主体 |
| ------------H10H20/811 | ...具有量子效应结构或超晶格，例如隧道结 |
| --------------H10H20/812 | ....在发光区域内，例如具有量子限制结构 |