基本信息:
- 专利标题： 多边形微腔混沌激光器及其调控方法
- 申请号：CN202210572340.6 申请日：2022-05-24
- 公开(公告)号：CN115000812B 公开(公告)日：2025-06-17
- 发明人： 李建成 , 黄永箴 , 黄勇涛 , 马春光 , 肖金龙 , 杨跃德
- 申请人： 中国科学院半导体研究所
- 申请人地址： 北京市海淀区清华东路甲35号
- 专利权人： 中国科学院半导体研究所
- 当前专利权人： 中国科学院半导体研究所
- 当前专利权人地址： 北京市海淀区清华东路甲35号
- 代理机构： 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理人： 任岩
- 主分类号： H01S5/343
- IPC分类号： H01S5/343 ; H01S5/10 ; H01S5/22
摘要：
本公开提供了一种多边形微腔混沌激光器及其调控方法，该激光器包括：回音壁腔(1)，截面为正多边形，或，截面为弧边正多边形，用于形成光的全内反射；孔(2)，设于回音壁腔(1)的内部，用于抑制高阶横模，调控模式数量；环形欧姆接触窗口(3)，位于回音壁腔(1)上端，用于进行电流的非均匀注入，实现模式的非线性相互作用，以产生混沌激光；波导(4)，用于定向输出混沌激光。该激光器结构简单，无需外光注入、外光反馈或光电反馈，解决了大尺寸微腔激光器因模式数量增多，模式调控不可控，破坏混沌光产生的问题，输出功率更高，混沌工作电流范围更宽。
公开/授权文献:
- CN115000812A 多边形微腔混沌激光器及其调控方法 公开/授权日：2022-09-02
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01S | 利用受激发射的器件 |
| ------H01S5/00 | 半导体激光器 |
| --------H01S5/02 | .基本上不涉及激光作用的结构零件或组件 |
| ----------H01S5/32 | ..含有PN结的，例如异结的或双异质结的结构 |
| ------------H01S5/343 | ...用AⅢBⅤ族化合物材料的，例如AlGaAs-激光器 |