基本信息:
- 专利标题： 一种低暗电流图像传感器像素结构
- 申请号：CN202210756089.9 申请日：2022-06-30
- 公开(公告)号：CN115084179B 公开(公告)日：2025-06-27
- 发明人： 王菁 , 陈多金 , 龚雨琛 , 高峰
- 申请人： 上海韦尔半导体股份有限公司
- 申请人地址： 上海市浦东新区上科路88号豪威科技园
- 专利权人： 上海韦尔半导体股份有限公司
- 当前专利权人： 上海韦尔半导体股份有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市浦东新区上科路88号豪威科技园
- 代理机构： 北京凯特来知识产权代理有限公司
- 代理人： 郑立明; 赵镇勇
- 主分类号： H10F39/18
- IPC分类号： H10F39/18
摘要：
本发明公开了一种低暗电流图像传感器像素结构，包括置于半导体基体中的光电二极管、传输晶体管、浮动扩散节点、复位晶体管、源跟随器晶体管、行选通晶体管、电源以及pixel输出；在邻近的光电二极管之间采用反向PN结隔离301，并且在光电二极管之间加入梯形浅槽隔离205，使应力集中在光电二极管四个角落形成钝角结构中。通过优化像素版图设计，并在像素工艺制程中，使用低应力氮化硅薄膜替代高应力氮化硅薄膜以及减小氮化硅薄膜厚度的方法降低光电二极管受到的应力。减少由于光电二极管的有源区受到高应力所带来的位错缺陷，从而降低像素所产生的暗电流，提高图像传感器的性能。
公开/授权文献:
- CN115084179A 一种低暗电流图像传感器像素结构 公开/授权日：2022-09-20