基本信息:
- 专利标题： 双向功率器件
- 申请号：CN202210661192.5 申请日：2020-10-27
- 公开(公告)号：CN115101524B 公开(公告)日：2024-10-11
- 发明人： 杨彦涛 , 张邵华
- 申请人： 杭州士兰微电子股份有限公司
- 申请人地址： 浙江省杭州市黄姑山路4号
- 专利权人： 杭州士兰微电子股份有限公司
- 当前专利权人： 杭州士兰微电子股份有限公司
- 当前专利权人地址： 浙江省杭州市黄姑山路4号
- 代理机构： 北京成创同维知识产权代理有限公司
- 代理人： 蔡纯; 杨思雨
- 分案原申请号： CN202011163950.8 2020.10.27
- 主分类号： H01L27/092
- IPC分类号： H01L27/092 ; H01L29/06 ; H01L29/08 ; H01L29/423
摘要：
本申请公开了一种双向功率器件，该双向功率器件包括：半导体层；第一掺杂区，位于半导体层中；第一沟槽区的多个沟槽，位于第一掺杂区中，将第一掺杂区分隔为交替的第一类子掺杂区与第二类子掺杂区；位于多个沟槽中的栅介质层、控制栅、第一屏蔽介质层、第一屏蔽栅、第二屏蔽介质层、第二屏蔽栅，其中，第一屏蔽介质层将控制栅和第一屏蔽栅分隔，第二屏蔽介质层将第二屏蔽栅和第一屏蔽栅分隔，第二屏蔽介质层和栅介质层的厚度均小于第一屏蔽介质层的厚度。该双向功率器件通过设置第二屏蔽介质层和栅介质层的厚度均小于第一屏蔽介质层的厚度，从而可以通过栅电极施加不同电压达到形成不同电场的效果。
公开/授权文献:
- CN115101524A 双向功率器件 公开/授权日：2022-09-23
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/02 | .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 |
| ----------H01L27/04 | ..其衬底为半导体的 |
| ------------H01L27/06 | ...在非重复结构中包括有多个单个组件的 |
| --------------H01L27/085 | ....只包含场效应的组件 |
| ----------------H01L27/088 | .....有绝缘栅场效应晶体管的组件 |
| ------------------H01L27/092 | ......互补MIS场效应晶体管 |