基本信息:
- 专利标题： 碳化硅半导体场效晶体管的栅源极保护结构及制备方法
- 申请号：CN202211081391.5 申请日：2022-09-06
- 公开(公告)号：CN115172457A 公开(公告)日：2022-10-11
- 发明人： 李振道 , 孙明光
- 申请人： 江苏应能微电子有限公司
- 申请人地址： 江苏省常州市天宁区创智路5号4号楼(8层、9层)
- 专利权人： 江苏应能微电子有限公司
- 当前专利权人： 江苏应能微电子股份有限公司
- 当前专利权人地址： 213000 江苏省常州市天宁区创智路5号4号楼(8层、9层)
- 代理机构： 天津垠坤知识产权代理有限公司
- 代理人： 江洁; 王忠玮
- 主分类号： H01L29/51
- IPC分类号： H01L29/51 ; H01L29/786 ; H01L21/336
摘要：
本发明公开了碳化硅半导体场效晶体管的栅源极保护结构及制备方法，包括N型碳化硅外延层，N型碳化硅外延层的上表面设有离子注入工艺形成的P‑阱区，P‑阱区的外表面设有场氧化层，场氧化层的上表面设有栅极氧化层，栅极氧化层的上表面设有多晶硅层，多晶硅层的上表面设有介电质层，本发明的有益效果是：同样在其栅极金属端下完成，以旋涡方式从内圈连接栅极端，并往外旋连接至源极端，并且多晶硅层内含N型及P型相互交错，P型多晶硅以硼所注入而成，N型多晶硅层以磷所注入而成，以此对N型P型交接处的面积大有提升，对ESD能力大有帮助。
公开/授权文献:
- CN115172457B 碳化硅半导体场效晶体管的栅源极保护结构及制备方法 公开/授权日：2024-05-03
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/41 | ..以其形状、相对尺寸或位置为特征的 |
| ------------H01L29/49 | ...金属绝缘体半导体电极 |
| --------------H01L29/51 | ....与其相关的绝缘材料 |