基本信息:
- 专利标题： 栅极串联电阻小焊垫器件的测量装置及测量方法
- 申请号：CN202210899521.X 申请日：2022-07-28
- 公开(公告)号：CN115267476B 公开(公告)日：2025-03-21
- 发明人： 李晶晶 , 陈培申 , 谢晋春
- 申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- 申请人地址： 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区祖冲之路1399号
- 专利权人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- 当前专利权人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区祖冲之路1399号
- 代理机构： 上海浦一知识产权代理有限公司
- 代理人： 刘昌荣
- 主分类号： G01R31/26
- IPC分类号： G01R31/26 ; G01R31/28
摘要：
本发明提供一种栅极串联电阻小焊垫器件的测量装置，包括半导体器件，半导体器件包括源极、漏极、栅极和连接于源极和栅极间的栅极串联电阻，以及分别用于引出源极、漏极、栅极、栅极串联电阻的第一至四焊垫；测试机台，测试机台的探针卡包括用于漏端通道的第一、二漏端探针、用于源端通道的第一、二源端探针和用于栅端通道的栅端探针；控制器，控制器用于控制第一至四开关的关断或闭合状态，用以切换测量模式。本发明利用测试机台有表面漏极测试与共漏测试两种测试模式，相当于漏断有两条测试通路，借用表面漏极测试模式，针卡借用表面漏极测试通道，程序内使用开关完成源端与栅端的短接，从而达到一步测试完成栅极串联电阻及主芯片测试。
公开/授权文献:
- CN115267476A 栅极串联电阻小焊垫器件的测量装置及测量方法 公开/授权日：2022-11-01
IPC结构图谱:
| G | 物理 |
| --G01 | 测量；测试 |
| ----G01R | 测量电变量；测量磁变量（通过转换成电变量对任何种类的物理变量进行测量参见G01类名下的 |
| ------G01R31/00 | 电性能的测试装置；电故障的探测装置；以所进行的测试在其他位置未提供为特征的电测试装置 |
| --------G01R31/26 | .单个半导体器件的测试 |