基本信息:
- 专利标题： 一种绝压接触式MEMS电容薄膜真空传感器
- 申请号：CN202211515157.9 申请日：2022-11-30
- 公开(公告)号：CN115744808B 公开(公告)日：2025-04-11
- 发明人： 许马会 , 冯勇建 , 单文桃 , 韩振华 , 韩晓东
- 申请人： 江苏理工学院
- 申请人地址： 江苏省常州市中吴大道1801号
- 专利权人： 江苏理工学院
- 当前专利权人： 江苏理工学院
- 当前专利权人地址： 江苏省常州市中吴大道1801号
- 代理机构： 南京正联知识产权代理有限公司
- 代理人： 杭行
- 主分类号： B81B7/00
- IPC分类号： B81B7/00 ; B81B7/02 ; G01L9/12 ; G01L21/00
摘要：
本发明公开了一种绝压接触式MEMS电容薄膜真空传感器，包括传感器芯片，以及用于安装传感器芯片的外壳，以及将传感器芯片封装在外壳内的上壳；传感器芯片包括硼硅感压膜、硅基底和玻璃基底，三者至上而下依次连接；硅基底的一面设有腔体，硅基底将设有腔体一面与硼硅感压膜直接键合，形成真空参考腔；真空参考腔内设有抽气孔，通过硅基底的另一面与玻璃基底阳极键合封堵抽气孔，真空参考腔形成高真空。本发明通过在真空参考腔内部设有抽气孔，将形成真空参考腔的技术转变为硅‑硅直接键合和硅‑玻璃阳极键合相结合的方式，简化了工艺流程，降低了真空传感器的测量下限；硼硅感压膜上设有保护环，减小传感器灵敏度的影响，提高真空传感器的分辨率。
公开/授权文献:
- CN115744808A 一种绝压接触式MEMS电容薄膜真空传感器 公开/授权日：2023-03-07