基本信息:
- 专利标题： 碳化硅外延设备及碳化硅外延层制备方法
- 申请号：CN202211664730.2 申请日：2022-12-23
- 公开(公告)号：CN115852490B 公开(公告)日：2025-08-29
- 发明人： 刘兴昉 , 杨尚宇 , 闫果果 , 王雷 , 赵万顺 , 孙国胜 , 曾一平
- 申请人： 中国科学院半导体研究所
- 申请人地址： 北京市海淀区清华东路甲35号
- 专利权人： 中国科学院半导体研究所
- 当前专利权人： 中国科学院半导体研究所
- 当前专利权人地址： 北京市海淀区清华东路甲35号
- 代理机构： 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理人： 郭梦雅
- 主分类号： C30B29/36
- IPC分类号： C30B29/36 ; C30B25/02 ; C23C16/54
摘要：
本发明提供了一种碳化硅外延设备，包括：备样室、多个中转室、反应室以及取样室。其中，备样室适用于提供放置装载有衬底晶圆片的托盘的空间；多个中转室，分别设置于备样室与第一生长室之间、第一生长室和第二生长室之间以及第二生长室与取样室之间，适用于对托盘提供暂存的空间；反应室，包括：第一生长室、第二生长室以及第三生长室；第一生长室适用于提供生长缓冲层的反应空间；第二生长室适用于提供生长N型外延层的反应空间；第三生长室适用于提供生长P型外延层的反应空间；取样室适用于放置装载有反应完成的晶圆片的托盘；其中，各室均配置有气垫导轨，气垫导轨上设置有多个自动气垫机构；并且相邻两室之间通过阀门连接。
公开/授权文献:
- CN115852490A 碳化硅外延设备及碳化硅外延层制备方法 公开/授权日：2023-03-28