基本信息:
- 专利标题： 一种可见光促进的卤代烷烃加氢脱卤的方法
- 申请号：CN202211635915.0 申请日：2022-12-20
- 公开(公告)号：CN115959962B 公开(公告)日：2025-05-23
- 发明人： 吴立朋 , 韩波 , 任春平
- 申请人： 中国科学院兰州化学物理研究所
- 申请人地址： 甘肃省兰州市城关区天水中路18号
- 专利权人： 中国科学院兰州化学物理研究所
- 当前专利权人： 中国科学院兰州化学物理研究所
- 当前专利权人地址： 甘肃省兰州市城关区天水中路18号
- 代理机构： 北京高沃律师事务所
- 代理人： 王儒
- 主分类号： C07C1/26
- IPC分类号： C07C1/26 ; C07C15/08 ; C07C15/02 ; C07C15/14 ; C07C15/24 ; C07C15/16 ; C07C15/073 ; C07C9/15 ; C07C13/24 ; C07C41/24 ; C07C43/205 ; C07C319/20 ; C07C321/28 ; C07C67/317 ; C07C69/76 ; C07C253/30 ; C07C255/50 ; C07C17/20 ; C07C25/02 ; C07C209/74 ; C07C211/54 ; C07C69/618 ; C07C29/58 ; C07C33/20 ; C07D215/04 ; C07D209/42
摘要：
本发明提供了一种可见光促进的卤代烷烃加氢脱卤的方法，属于有机合成技术领域。本发明在可见光光照条件下进行卤代烷烃的加氢脱卤，在可见光的促进下引发自由基实现卤代烷烃碳卤键的断裂生成烷基自由基，同时利用硫醇提供氢源，生成还原氢化产物，有机胺的加入有利于反应产生的卤素自由基的捕捉，从而提高反应速率，收率较高。本发明的方法操作简单，反应条件温和，在室温下即可发生反应，氢源为硫醇，对于可还原性官能团碳碳双键、酯基和氰基等具有良好的耐受性，因此具有良好的官能团耐受性和广泛的底物范围。
公开/授权文献:
- CN115959962A 一种可见光促进的卤代烷烃加氢脱卤的方法 公开/授权日：2023-04-14
IPC结构图谱:
| C | 化学；冶金 |
| --C07 | 有机化学 |
| ----C07C | 无环或碳环化合物 |
| ------C07C1/00 | 从一种或几种非烃化合物制备烃 |
| --------C07C1/26 | .从只含卤素杂原子的有机化合物开始 |