基本信息:
- 专利标题： 外延用衬底及其制造方法以及半导体器件及其制造方法
- 申请号：CN202211723194.9 申请日：2022-12-30
- 公开(公告)号：CN116130426A 公开(公告)日：2023-05-16
- 发明人： 曾柏翔 , 张佳浩 , 洪嘉悦 , 杨良 , 李瑞评 , 陈铭欣
- 申请人： 福建晶安光电有限公司
- 申请人地址： 福建省泉州市安溪县湖头镇横山村光电产业园
- 专利权人： 福建晶安光电有限公司
- 当前专利权人： 福建晶安光电有限公司
- 当前专利权人地址： 福建省泉州市安溪县湖头镇横山村光电产业园
- 主分类号： H01L23/13
- IPC分类号： H01L23/13 ; H01L21/48 ; B23K26/57
摘要：
本发明提供一种外延用衬底及其制造方法以及半导体器件及其制造方法。通过对衬底，尤其是衬底的部分区域进行激光扫描，在衬底内部形成多个改质点，以此改善衬底内部的应力，使衬底形成特定的形状，以与外延过程中的温场和热场适应，进而降低单个衬底内的不同区域以及多个衬底之间的外延波长均匀性。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |
| --------H01L23/02 | .容器；封接 |
| ----------H01L23/13 | ..按形状特点进行区分的 |