基本信息:
- 专利标题： 单相AlON粉体的制备方法
- 申请号：CN202310180352.9 申请日：2023-02-28
- 公开(公告)号：CN116161966A 公开(公告)日：2023-05-26
- 发明人： 王军 , 苏学剑 , 原保平 , 匡波
- 申请人： 成都光明光电有限责任公司
- 申请人地址： 四川省成都市龙泉驿区经济技术开发区成龙大道三段359号
- 专利权人： 成都光明光电有限责任公司
- 当前专利权人： 成都光明光电有限责任公司
- 当前专利权人地址： 四川省成都市龙泉驿区经济技术开发区成龙大道三段359号
- 代理机构： 成都虹桥专利事务所
- 代理人： 许睿
- 主分类号： C04B35/581
- IPC分类号： C04B35/581 ; C04B35/626
摘要：
本发明公开了单相AlON粉体的制备方法，包括以下步骤：将Al2O3粉、碳粉、AlN粉、无水乙醇按一定比例球磨均匀混合，Al2O3粉、碳粉、AlN粉与无水乙醇的质量比为(92～96):(3～7):(0.5～4):(100～200)；对混合均匀的物料进行干燥，干燥后过筛；将过筛后的物料置于氮化硼坩埚中，在流动氮气气氛条件下反应得到AlON粉体。本发明对现有技术中制备AlON粉体的碳热还原氮化法进行改进，不需要后续再进行除碳步骤，只需要一步反应就能直接生产单相AlON粉体，大幅度提升了单相AlON粉体的制备效率，同时在原料粉体中也不会引入新的杂质，确保了所制得单相AlON粉体的纯度；本发明操作工艺的可控性强、单相AlON粉体性能稳定，有利于实现单相AlON粉体的量产。
公开/授权文献:
- CN116161966B 单相AlON粉体的制备方法 公开/授权日：2024-03-22