基本信息:
- 专利标题： 一种硼钐钆共掺高分子基中子屏蔽材料及其制备方法
- 申请号：CN202310485676.3 申请日：2023-04-28
- 公开(公告)号：CN116285223B 公开(公告)日：2025-06-06
- 发明人： 柳伟平 , 丁文艺 , 冯宇钦 , 郑明杰 , 李桃生
- 申请人： 中国科学院合肥物质科学研究院
- 申请人地址： 安徽省合肥市蜀山湖路350号
- 专利权人： 中国科学院合肥物质科学研究院
- 当前专利权人： 中国科学院合肥物质科学研究院
- 当前专利权人地址： 安徽省合肥市蜀山湖路350号
- 代理机构： 合肥市上嘉专利代理事务所(普通合伙)
- 代理人： 郭华俊
- 主分类号： C08L63/00
- IPC分类号： C08L63/00 ; C08K3/22 ; C08K3/38 ; C08K9/06 ; C08L79/08 ; G21F1/10
摘要：
本发明公开了一种硼钐钆共掺高分子基中子屏蔽材料，包括作为基体的高分子材料和作为掺杂组分的能够吸收中子的核素。所述核素为B、Sm和Gd。所述材料中，B
公开/授权文献:
- CN116285223A 一种硼钐钆共掺高分子基中子屏蔽材料及其制备方法 公开/授权日：2023-06-23
IPC结构图谱:
| C | 化学；冶金 |
| --C08 | 有机高分子化合物；其制备或化学加工；以其为基料的组合物 |
| ----C08L | 高分子化合物的组合物 |
| ------C08L63/00 | 环氧树脂的组合物；环氧树脂衍生物的组合物 |