基本信息:
- 专利标题： 一种(Ti,Zr,Hf)B2中熵陶瓷基复相材料及其制备方法
- 申请号：CN202310337520.0 申请日：2023-03-31
- 公开(公告)号：CN116354730A 公开(公告)日：2023-06-30
- 发明人： 王新刚 , 王小飞 , 高巍 , 王铭 , 蒋丹宇
- 申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
- 申请人地址： 上海市长宁区定西路1295号
- 专利权人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
- 当前专利权人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
- 当前专利权人地址： 上海市长宁区定西路1295号
- 代理机构： 上海隆天律师事务所
- 代理人： 朱俊跃; 钟宗
- 主分类号： C04B35/58
- IPC分类号： C04B35/58 ; C04B35/622 ; C04B35/645
摘要：
本发明提供了一种(Ti,Zr,Hf)B2中熵陶瓷基复相材料及其制备方法，包括(Ti,Zr,Hf)B2、BN和B4C，采用氧化物原料、B4C粉体利用氮化硅球磨介质球磨混合加压烧结而成。本发明的技术方案工艺简单，合成复相粉体和制备的陶瓷氧含量低，且晶粒小、粒径分布均匀，所制备的中熵陶瓷基复相材料在高温具有优良的强度和韧性等力学性能。
公开/授权文献:
- CN116354730B 一种(Ti,Zr,Hf)B2中熵陶瓷基复相材料及其制备方法 公开/授权日：2025-04-08