基本信息:
- 专利标题： 一种缺陷工程化中空介孔铜掺杂硫化锡纳米球的制备方法
- 申请号：CN202311366779.4 申请日：2023-10-20
- 公开(公告)号：CN117263234B 公开(公告)日：2025-09-23
- 发明人： 冯莉莉 , 和冠廷 , 杨飘萍 , 朱彦霖 , 赵若茜 , 贺飞 , 丁鹤
- 申请人： 哈尔滨工程大学
- 申请人地址： 黑龙江省哈尔滨市南岗区南通大街145号
- 专利权人： 哈尔滨工程大学
- 当前专利权人： 哈尔滨工程大学
- 当前专利权人地址： 黑龙江省哈尔滨市南岗区南通大街145号
- 代理机构： 哈尔滨市松花江联合专利商标代理有限公司
- 代理人： 侯静
- 主分类号： C01G19/00
- IPC分类号： C01G19/00
摘要：
一种缺陷工程化中空介孔铜掺杂硫化锡纳米球的制备方法，它涉及缺陷工程化中空介孔纳米材料的制备方法。本发明要解决现有金属硫化物纳米粒子电子空穴对结合效率高，光响应及催化性能较差、催化剂形貌不均且尺寸较大的问题。方法：一、制备聚乙烯吡咯烷酮溶液；二、制备浅黄色氧化铜悬浮液；三、制备中空介孔硫化铜纳米球；四、制备缺陷工程化中空介孔铜掺杂硫化锡纳米球。本发明用于缺陷工程化中空介孔铜掺杂硫化锡纳米球的制备。
公开/授权文献:
- CN117263234A 一种缺陷工程化中空介孔铜掺杂硫化锡纳米球的制备方法 公开/授权日：2023-12-22