基本信息:
- 专利标题： 一种物理气相沉积材料源用稀土氟氧化物陶瓷及其制备方法
- 申请号：CN202311672649.3 申请日：2023-12-07
- 公开(公告)号：CN117658639B 公开(公告)日：2025-03-18
- 发明人： 王炫力 , 王晓娜 , 宋希文
- 申请人： 内蒙古科技大学
- 申请人地址： 内蒙古自治区包头市阿尔丁大街7号
- 专利权人： 内蒙古科技大学
- 当前专利权人： 内蒙古科技大学
- 当前专利权人地址： 内蒙古自治区包头市阿尔丁大街7号
- 代理机构： 郑州恒嘉知识产权代理事务所(普通合伙)
- 代理人： 严静
- 主分类号： C04B35/553
- IPC分类号： C04B35/553 ; C04B35/622 ; C04B35/626 ; C04B35/64 ; C23C14/35
摘要：
本发明属于稀土氟氧化物材料领域，具体涉及一种物理气相沉积材料源用稀土氟氧化物陶瓷及其制备方法，包括如下步骤：将稀土氧化物、稀土氟化物原料粉体预处理至纳米级；将原料粉体按照一定配比混合球磨、干燥、过筛形成混合均匀粉体；再压制成陶瓷坯体，于400～800℃焙烧制得稀土氟氧化物陶瓷。本发明采用预先将原料粉体细化至纳米级保证了原料粉体粒度的一致性，从而在后续固相反应过程中，能够实现稀土氟氧化物粉体的细小化和均一化，并实现稀土氟氧化物的低温合成，合成的稀土氟氧化物粉体具有结晶度高、晶粒尺寸小且均匀性好的优势，可直接用于物理气相沉积靶材的压制过程，无需再进行球磨粉碎，有效避免污染物的引入。
公开/授权文献:
- CN117658639A 一种物理气相沉积材料源用稀土氟氧化物陶瓷及其制备方法 公开/授权日：2024-03-08