基本信息:
- 专利标题： 一种电阻可调节的碳化硅多孔陶瓷及其制备方法
- 申请号：CN202311805339.4 申请日：2023-12-26
- 公开(公告)号：CN117776728B 公开(公告)日：2025-04-08
- 发明人： 刘桂玲 , 万鑫 , 刘学建 , 杨金晶 , 陈忠明 , 黄政仁 , 姚秀敏 , 刘岩
- 申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
- 申请人地址： 上海市长宁区定西路1295号
- 专利权人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
- 当前专利权人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
- 当前专利权人地址： 上海市长宁区定西路1295号
- 代理机构： 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙)
- 代理人： 曹芳玲; 郑优丽
- 主分类号： C04B35/565
- IPC分类号： C04B35/565 ; C04B35/64 ; C04B35/622 ; C04B38/06
摘要：
本发明涉及一种电阻可调节的碳化硅多孔陶瓷及其制备方法。所述电阻可调节的碳化硅多孔陶瓷包括：碳化硅主相、烧结助剂相和连通气孔相；优选地，所述烧结助剂相为碳化硼相。
公开/授权文献:
- CN117776728A 一种电阻可调节的碳化硅多孔陶瓷及其制备方法 公开/授权日：2024-03-29