基本信息:
- 专利标题： 图形化衬底、外延片及制备方法、倒装发光二极管
- 申请号：CN202311866145.5 申请日：2023-12-29
- 公开(公告)号：CN117832352A 公开(公告)日：2024-04-05
- 发明人： 李彬彬 , 吴福仁 , 李瑞评 , 巫婷 , 林宏超
- 申请人： 福建晶安光电有限公司
- 申请人地址： 福建省泉州市安溪县湖头镇横山村光电产业园
- 专利权人： 福建晶安光电有限公司
- 当前专利权人： 福建晶安光电有限公司
- 当前专利权人地址： 福建省泉州市安溪县湖头镇横山村光电产业园
- 代理机构： 厦门加减专利代理事务所
- 代理人： 曾启航
- 主分类号： H01L33/20
- IPC分类号： H01L33/20 ; H01L33/22 ; H01L33/00 ; H01L21/311
摘要：
本申请公开了图形化衬底、外延片及制备方法、倒装发光二极管，涉及半导体制造技术领域。图形化衬底包括衬底基板和异质复合结构，衬底基板设置有图形化凹槽，异质复合结构设置于图形化凹槽内并延伸至凸出于图形化凹槽外；其中，异质复合结构凸出于图形化凹槽外的表面形成第一坡面，第一坡面使自衬底基板设置有图形化凹槽的一侧表面向背离衬底基板的方向延伸。本申请能提高发光二极管的外量子效率。