基本信息:
- 专利标题： 一种发光二极管外延生长方法
- 申请号：CN202410384791.6 申请日：2024-04-01
- 公开(公告)号：CN118231535A 公开(公告)日：2024-06-21
- 发明人： 徐平 , 季辉 , 陈艳恒
- 申请人： 湘能华磊光电股份有限公司
- 申请人地址： 湖南省郴州市白露塘有色金属产业园
- 专利权人： 湘能华磊光电股份有限公司
- 当前专利权人： 湘能华磊光电股份有限公司
- 当前专利权人地址： 湖南省郴州市白露塘有色金属产业园
- 代理机构： 长沙七源专利代理事务所(普通合伙)
- 代理人： 张勇; 杨丽娜
- 主分类号： H01L33/00
- IPC分类号： H01L33/00 ; H01L33/12 ; H01L21/67
摘要：
本发明属于半导体发光二极管技术领域，本发明公开了一种发光二极管外延生长方法，包括：在衬底上依次生长缓冲层、非掺杂GaN层、n型GaN层、多量子阱层、AlGaN电子阻挡层以及掺杂Mg的P型GaN层，其中多量子阱层包括InGaN阱层、AIN层以及GaN垒层。通过在多量子阱层中的InGaN阱层生长过程中关掉In源和Ga源使生长中断两次，同时在阱层和垒层之间引入AIN层，使LED的发光效率得到提高。