基本信息:
- 专利标题： 一种发光二极管单晶生长制备方法
- 申请号：CN202410748380.0 申请日：2024-06-12
- 公开(公告)号：CN118335858B 公开(公告)日：2024-09-03
- 发明人： 徐平 , 王建长 , 季辉
- 申请人： 湘能华磊光电股份有限公司
- 申请人地址： 湖南省郴州市白露塘有色金属产业园
- 专利权人： 湘能华磊光电股份有限公司
- 当前专利权人： 湘能华磊光电股份有限公司
- 当前专利权人地址： 湖南省郴州市白露塘有色金属产业园
- 主分类号： H01L33/00
- IPC分类号： H01L33/00 ; H01L33/06 ; H01L33/08 ; H01L33/12 ; H01L33/20 ; H01L23/60
摘要：
本发明公开一种发光二极管单晶生长制备方法，依次包含：在衬底上单晶生长AlN层、AlGaN过渡层、非掺杂GaN层、n型GaN层、单晶生长量子阱调和层、第一量子阱层、第二量子阱层、第三量子阱层、第四量子阱层、第一P型GaN层、AlGaN电子阻挡层、第二P型GaN层以及第三P型GaN层，形成内部具有原位空洞且发出四种不同峰值波长蓝光的发光二极管，通过原位空洞在材料内部产生自由空间表面，阻挡位错向上延伸，实现单晶生长材料晶体质量的提升，从而提升发光二极管的发光效率和抗静电能力。
公开/授权文献:
- CN118335858A 一种发光二极管单晶生长制备方法 公开/授权日：2024-07-12