基本信息:
- 专利标题： 一种基于交流电压辅助的磁存储装置及方法
- 申请号：CN202410799088.1 申请日：2024-06-20
- 公开(公告)号：CN118538260A 公开(公告)日：2024-08-23
- 发明人： 牙晓瑞
- 申请人： 重庆电子工程职业学院
- 申请人地址： 重庆市沙坪坝区陈家桥镇
- 专利权人： 重庆电子工程职业学院
- 当前专利权人： 重庆电子工程职业学院
- 当前专利权人地址： 重庆市沙坪坝区陈家桥镇
- 代理机构： 重庆鼎慧峰合知识产权代理事务所(普通合伙)
- 代理人： 杜欢
- 主分类号： G11C11/16
- IPC分类号： G11C11/16 ; G11B5/02 ; G06F30/23
摘要：
本发明涉及磁存储技术领域，公开了一种基于交流电压辅助的磁存储装置及方法，包括存储媒介，一端设有地级电极，另一端覆盖有绝缘层；磁头，位于存储媒介上，设置有用于施加交流电压的正极电极；交流电压源，与磁头的正极电极和存储媒介的地级电极电连接，用于提供与磁性媒介共振频率相匹配的交流电压。上述的一种基于交流电压辅助的磁存储装置及方法，通过引入交流电压辅助磁矩反转，显著降低了所需磁场，使高各项异性的存储媒介得以在有限反转磁场下实现反转。这不仅提高了存储密度，还通过创新的技术手段优化了写入过程，相比传统的微波辅助写入和热辅助写入技术，展现了明显的优势。
IPC结构图谱:
| G11C11/56 | 组优先于G11C11/02至G11C11/54中各组。 |
| --G11C11/02 | .应用磁性元件的 |
| ----G11C11/16 | ..应用磁自旋效应的存储元件的 |