基本信息:
- 专利标题： 有源反馈激光器的制作方法及有源反馈激光器
- 申请号：CN202410630017.9 申请日：2024-05-21
- 公开(公告)号：CN118589296B 公开(公告)日：2025-06-27
- 发明人： 潘淑洁 , 陈思铭 , 杨骏捷
- 申请人： 中国科学院半导体研究所 , 湖南汇思光电科技有限公司
- 申请人地址： 北京市海淀区清华东路甲35号
- 专利权人： 中国科学院半导体研究所,湖南汇思光电科技有限公司
- 当前专利权人： 中国科学院半导体研究所,湖南汇思光电科技有限公司
- 当前专利权人地址： 北京市海淀区清华东路甲35号
- 代理机构： 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)
- 代理人： 单冠飞
- 主分类号： H01S5/12
- IPC分类号： H01S5/12 ; H01S5/026
摘要：
本申请提出一种有源反馈激光器的制作方法及有源反馈激光器，其中，方法包括：在去氧化衬底上依次生长缓冲层和有源区结构得到激光器生长结构；将激光器生长结构划分为DFB区域和IFB区域，通过区域退火将IFB区域的量子点有源区进行带隙蓝移得到第一阶段激光器结构，再依次进行脊形波导刻蚀和共面N型电极区域刻蚀，对应DFB区域的脊型波导上进行侧壁光栅刻蚀；并在DFB区域和IFB区域的相邻处进行电隔离刻蚀，得到有源反馈激光器。通过集成量子点DFB激光器和经过带隙蓝移的量子点IFB区域得到有源反馈激光器，解决了由于量子点增益介质激光器的调制带宽较低，很难满足其在低成本高速直调方面的应用的问题，实现了高速直调量子点激光器的低成本需求。
公开/授权文献:
- CN118589296A 有源反馈激光器的制作方法及有源反馈激光器 公开/授权日：2024-09-03