基本信息:
- 专利标题： AlN单晶的制造方法、AlN单晶和AlN单晶制造装置
- 申请号：CN202380019576.X 申请日：2023-02-20
- 公开(公告)号：CN118632952A 公开(公告)日：2024-09-10
- 发明人： 福山博之 , 大塚诚 , 安达正芳 , 宫田麟太郎 , 渡边康弘
- 申请人： 国立大学法人东北大学 , 同和控股(集团)有限公司
- 申请人地址： 日本
- 专利权人： 国立大学法人东北大学,同和控股(集团)有限公司
- 当前专利权人： 国立大学法人东北大学,同和控股(集团)有限公司
- 当前专利权人地址： 日本
- 代理机构： 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)
- 代理人： 刘新宇; 李恩华
- 优先权： 2023-023802 2023.02.17 JP 2023-023802 2023.02.17 JP
- 国际申请： PCT/JP2023/006081 2023.02.20
- 国际公布： WO2023/162936 JP 2023.08.31
- 进入国家日期： 2024-07-31
- 主分类号： C30B29/38
- IPC分类号： C30B29/38 ; C30B17/00 ; C30B19/02
摘要：
提供：能廉价且连续地制造AlN单晶的AlN单晶的制造方法、AlN单晶和AlN单晶制造装置。一种AlN单晶的制造方法，其包括如下工序：熔液形成工序，将包含Al的合金加热、熔解，形成前述合金的熔液；和，析出工序，一边将熔液的一部分冷却而在熔液中设置温度梯度，一边使AlN单晶析出，析出工序中，使含氮气体与熔液内的高温部接触，且在熔液内的低温部保持单晶的AlN晶种或晶体生长用的基板，从而边持续进行高温部中的氮向熔液的掺入，边在低温部中使AlN单晶在AlN晶种或基板上析出，使AlN单晶连续地生长。