基本信息:
- 专利标题： 多孔陶瓷的制备方法以及多孔陶瓷
- 申请号：CN202411214942.X 申请日：2024-09-02
- 公开(公告)号：CN118724571B 公开(公告)日：2024-11-29
- 发明人： 黄昆明 , 李江荣 , 张怀民 , 方辉
- 申请人： 成都达奇科技股份有限公司
- 申请人地址： 四川省成都市中国（四川）自由贸易试验区成都高新区萃华路89号、吉泰一街99号、升华路108号1幢1单元35层3502号
- 专利权人： 成都达奇科技股份有限公司
- 当前专利权人： 成都达奇科技股份有限公司
- 当前专利权人地址： 四川省成都市中国（四川）自由贸易试验区成都高新区萃华路89号、吉泰一街99号、升华路108号1幢1单元35层3502号
- 代理机构： 成都擎智秉业专利代理事务所(普通合伙)
- 代理人： 辜桂芳
- 主分类号： C04B35/14
- IPC分类号： C04B35/14 ; C04B35/622 ; C04B35/64 ; C04B38/06 ; C04B35/628
摘要：
本发明公开了多孔陶瓷的制备方法以及多孔陶瓷，属于多孔陶瓷的技术领域。制备方法包括以下步骤：步骤100，将有机多孔基体放入施加有电场的腔体中，依次在氩气气氛、氧气气氛下进行处理，得到第一改性基体；步骤200，将第一改性基体浸泡于碱液中，得到第二改性基体；步骤300，在第二改性基体的孔隙表面镀上银层，得到第三改性基体；步骤400，将第三改性基体浸泡于阴离子表面活性剂溶液中，得到第四改性基体；步骤500，将含有陶瓷粉末的浆料附着于第四改性基体的孔隙表面，得到预烧坯体；步骤600，依次在空气气氛、氮气气氛中对预烧坯体进行烧结处理，即得到多孔陶瓷。本发明工艺简单，易于操作和控制，所得多孔陶瓷兼具高孔隙率和高抗压强度。
公开/授权文献:
- CN118724571A 多孔陶瓷的制备方法以及多孔陶瓷 公开/授权日：2024-10-01