基本信息:
- 专利标题： 高温超导薄膜临界电流密度检测装置及方法
- 申请号：CN202411506189.1 申请日：2024-10-28
- 公开(公告)号：CN119024033A 公开(公告)日：2024-11-26
- 发明人： 乔杰 , 方宵 , 张学莹 , 孙家俊
- 申请人： 杭州市北京航空航天大学国际创新研究院（北京航空航天大学国际创新学院）
- 申请人地址： 浙江省杭州市余杭区瓶窑镇双红桥街166号
- 专利权人： 杭州市北京航空航天大学国际创新研究院（北京航空航天大学国际创新学院）
- 当前专利权人： 杭州市北京航空航天大学国际创新研究院（北京航空航天大学国际创新学院）
- 当前专利权人地址： 浙江省杭州市余杭区瓶窑镇双红桥街166号
- 代理机构： 杭州华进联浙知识产权代理有限公司
- 代理人： 方道杰
- 主分类号： G01R19/08
- IPC分类号： G01R19/08 ; G01R31/26 ; G01R27/06 ; G01R1/02 ; G01R1/28
摘要：
本申请涉及高温超导领域，特别是涉及一种高温超导薄膜临界电流密度检测装置及方法，包括沿微波传播的方向上依次设置的矢量网络分析仪、波导、线圈单元、低温样品台，还包括与所述矢量网络分析仪通信连接的数据采集分析系统，待测高温超导薄膜置于所述低温样品台，通过线圈单元用于根据不同的电流产生交变磁场，激励所述待测高温超导薄膜的内部产生超导电流，以使所述待测高温超导薄膜由超导状态转变至非超导状态，通过矢量网络分析仪探测微波的反射系数来监控高温超导薄膜的临界状态的变化，从而检测临界电流密度。该装置能够解决现有技术所面临的分辨率低、测量不可靠等技术问题。
公开/授权文献:
- CN119024033B 高温超导薄膜临界电流密度检测装置及方法 公开/授权日：2025-01-03
IPC结构图谱:
| G | 物理 |
| --G01 | 测量；测试 |
| ----G01R | 测量电变量；测量磁变量（通过转换成电变量对任何种类的物理变量进行测量参见G01类名下的 |
| ------G01R19/00 | 用于测量电流或电压或者用于指示其存在或符号的装置 |
| --------G01R19/08 | .电流密度的测量 |