基本信息:
- 专利标题： 一种考虑死区条件的双有源桥变换器的电流应力优化方法、设备及存储介质
- 申请号：CN202411320704.7 申请日：2024-09-20
- 公开(公告)号：CN119051458A 公开(公告)日：2024-11-29
- 发明人： 戴鹏 , 鲍君仪 , 高明畅 , 徐庆 , 方世琦 , 杨梓薇 , 黄云辰
- 申请人： 中国矿业大学
- 申请人地址： 江苏省徐州市泉山区中国矿业大学文昌校区
- 专利权人： 中国矿业大学
- 当前专利权人： 中国矿业大学
- 当前专利权人地址： 江苏省徐州市泉山区中国矿业大学文昌校区
- 主分类号： H02M3/335
- IPC分类号： H02M3/335 ; H02M1/00 ; H02M1/088
摘要：
本发明公开一种考虑死区条件的双有源桥变换器的电流应力优化方法、设备及存储介质，涉及变换器控制技术领域。所述方法包括：把电路必须设置的死区最小值定义为死区安全值，用M
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H02 | 发电、变电或配电 |
| ----H02M | 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节 |
| ------H02M3/00 | 直流功率输入变换为直流功率输出 |
| --------H02M3/02 | .没有中间变换为交流的 |
| ----------H02M3/24 | ..用静态变换器的 |
| ------------H02M3/28 | ...应用有控制极的放电管或有控制极的半导体器件产生中间交流电的 |
| --------------H02M3/305 | ....应用需要熄灭装置的闸流管或晶闸管型器件的 |
| ----------------H02M3/335 | .....仅用半导体器件的 |