基本信息:
- 专利标题： 屏蔽栅型器件
- 申请号：CN202310714588.6 申请日：2023-06-14
- 公开(公告)号：CN119153496A 公开(公告)日：2024-12-17
- 发明人： 肖魁 , 卞铮
- 申请人： 无锡华润上华科技有限公司
- 申请人地址： 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号
- 专利权人： 无锡华润上华科技有限公司
- 当前专利权人： 无锡华润上华科技有限公司
- 当前专利权人地址： 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号
- 代理机构： 华进联合专利商标代理有限公司
- 代理人： 虞凌霄
- 主分类号： H01L29/423
- IPC分类号： H01L29/423 ; H01L29/78 ; H01L27/02
摘要：
本发明涉及一种屏蔽栅型器件，包括沿第一方向延伸的第一沟槽结构和沿第二方向延伸的第二沟槽结构，每个所述第一沟槽结构均包括中部和位于所述第一端的端头部，每个第一沟槽结构的所述端头部的宽度大于同一第一沟槽结构的所述中部的宽度，相邻的第一沟槽结构的端头部之间的间距小于x，且各端头部与所述第二沟槽结构的间距小于x，x为所述相邻的第一沟槽结构的中部之间的间距。本发明通过将第一沟槽结构的端头部增大，能够保证器件的元胞区域实现优化的工艺设计组合，提升了产品的市场竞争力。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/41 | ..以其形状、相对尺寸或位置为特征的 |
| ------------H01L29/423 | ...不通有待整流、放大或切换电流的 |