基本信息:
- 专利标题： 一种IGBT的寿命预测方法、装置、设备及存储介质
- 申请号：CN202411383832.6 申请日：2024-09-30
- 公开(公告)号：CN119202611A 公开(公告)日：2024-12-27
- 发明人： 戴鹏 , 鲍君仪 , 魏思喆 , 高明畅 , 徐庆
- 申请人： 中国矿业大学
- 申请人地址： 江苏省徐州市铜山区大学路1号
- 专利权人： 中国矿业大学
- 当前专利权人： 中国矿业大学
- 当前专利权人地址： 江苏省徐州市铜山区大学路1号
- 代理机构： 西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙)
- 代理人： 王源宽
- 主分类号： G06F18/20
- IPC分类号： G06F18/20 ; G06N3/08 ; G06N3/084 ; G06N3/006 ; G06N3/0499
摘要：
本发明提供了一种IGBT的寿命预测方法、装置、设备及存储介质，包括：获取绝缘栅双极型晶体管IGBT的历史电压参数构建样本集；电压参数为与寿命相关的电压参数；构建用于预测IGBT寿命的BP神经网络；将BP神经网络的初始权重和偏置参数作为种群个体，以BP神经网络的均方误差函数作为适应度函数，通过鹈鹕优化算法进行全局搜索，得到初始最优权重和偏置参数；基于初始最优权重和偏置参数以及样本集对BP神经网络训练，迭代前向传播和反向传播过程，得到训练好的BP神经网络；将待预测的IGBT的电压参数输入训练好的BP神经网络，通过训练好的BP神经网络对IGBT的寿命进行预测。该方法能够提高IGBT的寿命预测的准确性。