基本信息:
- 专利标题： BCD器件及其制备方法
- 申请号：CN202411548742.8 申请日：2024-10-31
- 公开(公告)号：CN119208323A 公开(公告)日：2024-12-27
- 发明人： 姚国亮 , 李杰 , 张邵华 , 吴建兴
- 申请人： 杭州士兰微电子股份有限公司
- 申请人地址： 浙江省杭州市黄姑山路4号
- 专利权人： 杭州士兰微电子股份有限公司
- 当前专利权人： 杭州士兰微电子股份有限公司
- 当前专利权人地址： 浙江省杭州市黄姑山路4号
- 代理机构： 上海思捷知识产权代理有限公司
- 代理人： 傅梦婷
- 主分类号： H01L27/06
- IPC分类号： H01L27/06 ; H01L29/78 ; H01L29/417 ; H01L29/06 ; H01L21/8249
摘要：
本发明提供了一种BCD器件及其制备方法，包括衬底、外延层、超结VDMOS单元及若干平面晶体管单元，外延层位于衬底的第一表面，外延层内具有第一区域和至少一个第二区域，第二区域内具有至少一个第一中压阱；超结VDMOS单元包括至少两个第二中压阱及背面金属层，第二中压阱横向间隔排布于第一区域内，背面金属层位于衬底的第二表面，并与衬底电性连接；平面晶体管单元的部分组成结构位于相应的第二区域内的第一中压阱内。本发明将超结VDMOS单元集成在BCD器件中，超结VDMOS单元相较于常规的LDMOS单元具有更优的电流能力、更少的面积占用和更高的可靠性，提高BCD器件的性能和可靠性，第一中压阱与第二中压阱同步制备而成，具有制造方法简单、成本低、可靠性高等优点。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/02 | .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 |
| ----------H01L27/04 | ..其衬底为半导体的 |
| ------------H01L27/06 | ...在非重复结构中包括有多个单个组件的 |