基本信息:
- 专利标题： 分子合成阵列
- 申请号：CN202380041856.0 申请日：2023-05-26
- 公开(公告)号：CN119233863A 公开(公告)日：2024-12-31
- 发明人： 塞萨尔·哈维尔·洛克哈特德拉罗莎 , 奥利维尔·亨利 , 克里姆·威廉姆斯 , 凯瑟琳·霍尔兹
- 申请人： IMEC非营利协会 , 勒芬天主教大学
- 申请人地址： 比利时勒芬
- 专利权人： IMEC非营利协会,勒芬天主教大学
- 当前专利权人： IMEC非营利协会,勒芬天主教大学
- 当前专利权人地址： 比利时勒芬
- 代理机构： 北京市格文律师事务所
- 代理人： 王新华; 胡晓晨
- 优先权： 22176394.9 2022.05.31 EP
- 国际申请： PCT/EP2023/064227 2023.05.26
- 国际公布： WO2023/232696 EP 2023.12.07
- 进入国家日期： 2024-11-20
- 主分类号： B01J19/00
- IPC分类号： B01J19/00 ; G11C13/00
摘要：
根据本发明构思的一方面，提供了一种分子合成阵列(100，100')，该分子合成阵列包括：衬底(208，208')；绝缘层(202，202')，该绝缘层布置在衬底(208，208')上；多个下部电极线(104)和多个上部电极线(102)，该多个下部电极线沿着分子合成阵列(100，100')的列方向平行地延伸，该多个上部电极线沿着分子合成阵列(100，100')的行方向平行地延伸，其中，上部电极线(102)与下部电极线(210，210')竖直分离并跨过下部电极线(104)延伸，并且其中，下部电极线和上部电极线(210，210'，204，204')嵌入在绝缘层(202，202')中；以及多个合成孔(106)，其中，每个孔(200，200')形成在下部电极线(210，210')与上部电极线(204，204')之间的交叉处，并且从绝缘层(202，202')的上表面(226)、穿过绝缘层(202，202')并穿过上部电极线(204，204')延伸到下部电极线(210，210')，并且露出上部电极线(204，204')的电极表面部分(222，222')和下部电极线(210，210')的电极表面部分(216，216')。