基本信息:
- 专利标题： 砷化镓系统级扇出封装方法及其结构
- 申请号：CN202411855309.9 申请日：2024-12-17
- 公开(公告)号：CN119314882A 公开(公告)日：2025-01-14
- 发明人： 张胜男 , 徐晨龙 , 张奎 , 朱晓 , 童媛
- 申请人： 江苏中科智芯集成科技有限公司
- 申请人地址： 江苏省徐州市经济技术开发区创业路26号凤凰湾电子信息产业园101-106厂房
- 专利权人： 江苏中科智芯集成科技有限公司
- 当前专利权人： 江苏中科智芯集成科技有限公司
- 当前专利权人地址： 江苏省徐州市经济技术开发区创业路26号凤凰湾电子信息产业园101-106厂房
- 代理机构： 北京超凡宏宇知识产权代理有限公司
- 代理人： 张洋
- 主分类号： H01L21/56
- IPC分类号： H01L21/56 ; H01L21/027 ; H01L23/31
摘要：
本申请提供了一种砷化镓系统级扇出封装方法及其结构，涉及半导体封装技术领域。该封装方法包括提供具有第一包封体的晶圆片。其中，晶圆片包括多个芯片；芯片采用砷化镓衬底，芯片的正面具有焊盘；第一包封体包覆芯片的背面和侧面。在晶圆片的正面形成具有第一开口的第一光刻胶；第一开口用于露出焊盘。在第一光刻胶上形成与焊盘电连的重布线层。在重布线层上形成与重布线层相连的导电块。形成包覆导电块和重布线层的第二包封体。其中，第二包封体位于第一光刻胶远离第一包封体的一侧。形成与导电块电连的焊球。采用第一包封体和第二包封体对重构晶圆进行六面包封，提高结构可靠性，解决可靠性测试中衬底和重布线层的分层问题。
公开/授权文献:
- CN119314882B 砷化镓系统级扇出封装方法及其结构 公开/授权日：2025-04-11
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/50 | ...应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的 |
| --------------H01L21/56 | ....封装，例如密封层、涂层 |