基本信息:
- 专利标题： 复合衬底及发光二极管
- 申请号：CN202411387980.5 申请日：2024-09-30
- 公开(公告)号：CN119364946A 公开(公告)日：2025-01-24
- 发明人： 吴福仁 , 曾柏翔 , 谢斌晖 , 巫婷 , 吴敦
- 申请人： 福建晶安光电有限公司
- 申请人地址： 福建省泉州市安溪县湖头镇横山村光电产业园
- 专利权人： 福建晶安光电有限公司
- 当前专利权人： 福建晶安光电有限公司
- 当前专利权人地址： 福建省泉州市安溪县湖头镇横山村光电产业园
- 代理机构： 厦门加减专利代理事务所(普通合伙)
- 代理人： 曾启航
- 主分类号： H10H20/82
- IPC分类号： H10H20/82 ; H10H20/841
摘要：
本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种复合衬底，其包括衬底和多个光反结构，衬底具有上表面和下表面，衬底的上表面上具有多个凸起结构，多个光反结构设置在衬底的上表面上且分布在多个凸起结构之间，光反结构的折射率低于凸起结构的折射率和衬底的折射率，部分所述光反结构的上表面在所述衬底的上表面的垂直投影的第一尺寸大于其相邻的所述凸起结构的上表面在所述衬底的上表面的垂直投影的第二尺寸。借此可使照射至上表面的光发生全反射的比例更高，提升发光二极管的光提取效率。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H10 | 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件 |
| ----H10H | 具有势垒的无机发光半导体器件注释1.此小类涵盖发射可见光、红外线 |
| ------H10H20/00 | 具有势垒的单独的无机发光半导体器件，例如发光二极管 |
| --------H10H20/80 | .构造细节 |
| ----------H10H20/81 | ..主体 |
| ------------H10H20/817 | ...其特征在于晶体结构或取向，例如多晶、无定形或多孔 |
| --------------H10H20/82 | ....粗糙化表面，例如在外延层之间的界面处 |