基本信息:
- 专利标题： 半导体器件及其制造方法
- 申请号：CN202510019185.9 申请日：2025-01-07
- 公开(公告)号：CN119421460B 公开(公告)日：2025-04-11
- 发明人： 方田 , 汪旭东
- 申请人： 芯联集成电路制造股份有限公司
- 申请人地址： 浙江省绍兴市越城区皋埠街道临江路518号
- 专利权人： 芯联集成电路制造股份有限公司
- 当前专利权人： 芯联集成电路制造股份有限公司
- 当前专利权人地址： 浙江省绍兴市越城区皋埠街道临江路518号
- 代理机构： 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
- 代理人： 赵素香
- 主分类号： H10D30/66
- IPC分类号： H10D30/66 ; H10D64/27 ; H10D30/01
摘要：
本发明提供一种半导体器件及其制造方法，半导体器件包括：基底；两个体区，形成于所述基底中，两个所述体区之间的所述基底中形成有凹槽；第二外延层，形成于所述基底上，所述第二外延层从部分所述体区上延伸至所述凹槽的侧壁上；源极区，形成于所述体区中，所述源极区从所述第二外延层远离所述凹槽的一侧延伸至所述第二外延层下方，所述基底、所述第二外延层、所述源极区的掺杂类型与所述体区的掺杂类型相反；栅氧层，形成于所述第二外延层的表面和所述凹槽的底壁；栅极层，形成于所述栅氧层上，所述栅极层从所述第二外延层上方的所述栅氧层上延伸至所述凹槽侧壁的所述栅氧层上。本发明的技术方案使得能够提高器件性能。
公开/授权文献:
- CN119421460A 半导体器件及其制造方法 公开/授权日：2025-02-11