基本信息:
- 专利标题： 于铁氧体表面进行镭雕化镀的制备方法及其铁氧体结构
- 申请号：CN202411127285.5 申请日：2024-08-16
- 公开(公告)号：CN119521561A 公开(公告)日：2025-02-25
- 发明人： 蔡宏斌
- 申请人： 雅得近显股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹县竹北市六家八街266号1楼
- 专利权人： 雅得近显股份有限公司
- 当前专利权人： 雅得近显股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹县竹北市六家八街266号1楼
- 代理机构： 北京天平专利商标代理有限公司
- 代理人： 孙刚
- 优先权： 112131865 2023.08.24 TW
- 主分类号： H05K3/18
- IPC分类号： H05K3/18 ; H05K1/11
摘要：
一种于铁氧体表面进行镭雕化镀的制备方法及其铁氧体结构，系于一基材本体的至少一表面上进行镭射活化处理，该基材本体为一含铜铁氧体材料所制成，再于该基材本体的镭射活化处理的部位，进行一化镀处理，以于该基材本体的镭射活化处理的部位上形成一导电线路；由此，本发明能克服现有技术的缺陷，能够成功进行镭射活化处理，能够再于镭射活化处理的部位经过一化镀处理镀上一导电线路层，以应用于电路装置使用。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H05 | 其他类目不包含的电技术 |
| ----H05K | 印刷电路；电设备的外壳或结构零部件；电气元件组件的制造 |
| ------H05K3/00 | 用于制造印刷电路的设备或方法 |
| --------H05K3/02 | .其中将导电材料敷至绝缘支承物的表面上，而后再将其导电材料从不希望让电流通导或屏蔽的表面区域中去除的 |
| ----------H05K3/18 | ..应用沉淀技术涂加导电材料的 |