基本信息:
- 专利标题： 一种富氧型半导体二氧化钛材料的制备方法
- 申请号：CN202411715244.8 申请日：2024-11-27
- 公开(公告)号：CN119528214A 公开(公告)日：2025-02-28
- 发明人： 何璇 , 杨炜 , 李诗纯 , 王子寒
- 申请人： 中国工程物理研究院化工材料研究所
- 申请人地址： 四川省绵阳市绵山路64号
- 专利权人： 中国工程物理研究院化工材料研究所
- 当前专利权人： 中国工程物理研究院化工材料研究所
- 当前专利权人地址： 四川省绵阳市绵山路64号
- 代理机构： 四川省天策知识产权代理有限公司
- 代理人： 李洁
- 主分类号： C01G23/053
- IPC分类号： C01G23/053 ; B82Y40/00 ; G01N21/65
摘要：
本发明公开了一种富氧型半导体二氧化钛材料的制备方法，表面增强拉曼散射(SERS)性能优化及其在超酸(发烟硝酸)、碱性的极端环境中仍具备高灵敏SERS性能，并开展分子探测应用的实施案例。具体包括：第一，公开了富氧型二氧化钛制备方法，以氧化剂(硫酸、过氧化氢)处理钛酸四丁酯，获得富氧型二氧化钛前体。第二，公开了用不同温度处理富氧型二氧化钛，调控其能带结构，获得具有优化SERS性能的富氧二氧化钛材料。第三，公开了该二氧化钛材料的环境稳定性，分别检测了发烟硝酸、氢氧化钠中的炸药分子，表现出该SERS基底材料具有高灵敏的检测效果和优异的材料稳定性。第四，公开了该二氧化钛材料在发烟硝酸中开展硝化反应监测的过程案例，表现出该SERS基底在极端环境下进行过程检测的应用潜质。
IPC结构图谱:
| C | 化学；冶金 |
| --C01 | 无机化学 |
| ----C01G | 含有不包含在C01D或C01F小类中之金属的化合物 |
| ------C01G23/00 | 钛的化合物 |
| --------C01G23/04 | .氧化物；氢氧化物 |
| ----------C01G23/047 | ..二氧化钛 |
| ------------C01G23/053 | ...用湿法生产，如水解钛盐 |