基本信息:
- 专利标题： 提高晶圆离子注入均匀性的方法
- 申请号：CN202510127989.0 申请日：2025-02-05
- 公开(公告)号：CN119581303B 公开(公告)日：2025-04-25
- 发明人： 吝辉辉 , 王曼真 , 方驰宇 , 姚智 , 张志坤
- 申请人： 合肥晶合集成电路股份有限公司
- 申请人地址： 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号
- 专利权人： 合肥晶合集成电路股份有限公司
- 当前专利权人： 合肥晶合集成电路股份有限公司
- 当前专利权人地址： 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号
- 代理机构： 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
- 代理人： 曹廷廷
- 主分类号： H01L21/265
- IPC分类号： H01L21/265 ; H01J37/317 ; H01J37/30 ; H01J37/244
摘要：
本发明提供一种提高晶圆离子注入均匀性的方法。该方法包括：调整第一线圈组的电流，获得多组第一线圈组的电流值及其对应的带状离子束的剂量率以获得第一关系曲线；调整第二线圈组的电流，获得多组第二线圈组的电流值及其对应的带状离子束的剂量率以获得第二关系曲线；获得第一关系曲线的剂量率的低值范围对应的第一线圈组的第一电流值范围，获得第二关系曲线的剂量率的低值范围对应的第二线圈组的第二电流值范围；对第一电流值范围内的电流值以及第二电流值范围内的电流值进行组合测试获得最低剂量率，以最低剂量率的对应的电流值设定第一和第二线圈组的电流参数。如此获得的带状离子束的剂量率较小，有助于改善晶圆离子注入的均匀性。
公开/授权文献:
- CN119581303A 提高晶圆离子注入均匀性的方法 公开/授权日：2025-03-07
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/263 | .....带有高能辐射的 |
| ------------------H01L21/265 | ......产生离子注入的 |