基本信息:
- 专利标题： 半导体装置
- 申请号：CN202380055933.8 申请日：2023-07-24
- 公开(公告)号：CN119631175A 公开(公告)日：2025-03-14
- 发明人： 柳沼隆太
- 申请人： 罗姆股份有限公司
- 申请人地址： 日本
- 专利权人： 罗姆股份有限公司
- 当前专利权人： 罗姆股份有限公司
- 当前专利权人地址： 日本
- 代理机构： 北京银龙知识产权代理有限公司
- 代理人： 曾贤伟; 李平
- 优先权： 2022-125359 2022.08.05 JP
- 国际申请： PCT/JP2023/027007 2023.07.24
- 国际公布： WO2024/029385 JP 2024.02.08
- 进入国家日期： 2025-01-23
- 主分类号： H01L23/29
- IPC分类号： H01L23/29 ; H01L23/373 ; H01L21/60 ; H01L25/07 ; H01L25/18
摘要：
半导体装置具备：半导体元件，其具有半导体层以及配置于上述半导体层的厚度方向的一方侧的第一电极；第一导通部件，其接合于上述第一电极；上述第一导通部件，其从上述厚度方向的另一方侧接合于上述半导体元件；以及封固树脂，其具有朝向上述厚度方向的上述一方侧的第一树脂面以及朝向上述另一方侧的第二树脂面，且覆盖上述第一导通部件和上述第二导通部件各自的至少一部分以及上述半导体元件。上述第一电极包括第一金属层，该第一金属层包含热传导率比焊料高的金属。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |
| --------H01L23/02 | .容器；封接 |
| ----------H01L23/29 | ..按材料特点进行区分的 |