基本信息:

• 专利标题： 一种富缺陷的钴掺杂MoS2/NiSe2异质结纳米阵列电极及其制备方法和应用
• 申请号：CN202411838020.6 申请日：2024-12-13
• 公开(公告)号：CN119660800A 公开(公告)日：2025-03-21
• 发明人： 朱平 , 郭春雪 , 刘飒 , 韩雪梅 , 黄双飞 , 梁静瑶 , 罗涛 , 赵新生
• 申请人： 江苏师范大学
• 申请人地址： 江苏省徐州市铜山新区上海路101号
• 专利权人： 江苏师范大学
• 当前专利权人： 江苏师范大学
• 当前专利权人地址： 江苏省徐州市铜山新区上海路101号
• 主分类号： C01G39/06
• IPC分类号： C01G39/06 ; C02F1/46 ; C01B19/04 ; C25B11/052 ; C25B11/061 ; C25B11/065 ; C25B11/02 ; C25B11/031 ; C25B11/091 ; C25B1/04 ; H01M4/90

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