基本信息:
- 专利标题： 一种层叠式氮化硅陶瓷的碳化硅芯片模块封装
- 申请号：CN202510173617.1 申请日：2025-02-18
- 公开(公告)号：CN119673910B 公开(公告)日：2025-04-25
- 发明人： 郭新华 , 李浩铭 , 张梓健 , 李淳桢
- 申请人： 华侨大学
- 申请人地址： 福建省泉州市丰泽区城华北路269号
- 专利权人： 华侨大学
- 当前专利权人： 华侨大学
- 当前专利权人地址： 福建省泉州市丰泽区城华北路269号
- 代理机构： 厦门智慧呈睿知识产权代理事务所(普通合伙)
- 代理人： 林杰德
- 主分类号： H01L23/498
- IPC分类号： H01L23/498 ; H01L23/367
摘要：
本发明提供了一种层叠式氮化硅陶瓷的碳化硅芯片模块封装，涉及芯片封装技术领域；该层叠式氮化硅陶瓷的碳化硅芯片模块封装包括两层层叠设置的具有上铜层、氮化硅陶瓷层以及下铜层的基板；其中，下基板包括的上铜层包括下基板上桥铜层和下基板下桥铜层，上基板包括设置于所述下基板上桥铜层上的上桥上基板，以及设置于所述下基板下桥铜层上的下桥上基板；所述下基板上桥铜和所述下基板下桥铜层上电连接设置有多个碳化硅芯片；如此实现电流在空间上的电路流动，从而抵消杂散电感。
公开/授权文献:
- CN119673910A 一种层叠式氮化硅陶瓷的碳化硅芯片模块封装 公开/授权日：2025-03-21
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |
| --------H01L23/34 | .冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置 |
| ----------H01L23/482 | ..由不可拆卸地施加到半导体本体上的内引线组成的 |
| ------------H01L23/498 | ...引线位于绝缘衬底上的 |