基本信息:
- 专利标题： 半导体试验装置
- 申请号：CN202380057006.X 申请日：2023-07-11
- 公开(公告)号：CN119678057A 公开(公告)日：2025-03-21
- 发明人： 小南悟
- 申请人： 罗姆股份有限公司
- 申请人地址： 日本
- 专利权人： 罗姆股份有限公司
- 当前专利权人： 罗姆股份有限公司
- 当前专利权人地址： 日本
- 代理机构： 北京银龙知识产权代理有限公司
- 代理人： 许静; 范胜杰
- 优先权： 2022-124695 2022.08.04 JP
- 国际申请： PCT/JP2023/025536 2023.07.11
- 国际公布： WO2024/029282 JP 2024.02.08
- 进入国家日期： 2025-01-26
- 主分类号： G01R31/26
- IPC分类号： G01R31/26 ; H10D30/60 ; H10D30/01 ; H10D62/80
摘要：
一种半导体试验装置，包含：第一节点部，其与半导体开关装置的一端电连接；第二节点部，其与所述半导体开关装置的另一端电连接；高电压小电流用的第一电源，其生成第一电压以及第一电流；低电压大电流用的第二电源，其生成比所述第一电压低的第二电压以及比所述第一电流大的第二电流；第一继电器，其具有所述第一电压以上的耐压，并电安装在所述第一节点部以及所述第一电源之间；第二继电器，其具有所述第二电压以上的耐压，并电安装在所述第一节点部以及所述第二电源之间；第三继电器，其具有所述第一电压以上的耐压，并与所述第二继电器并联连接；第四继电器，其具有所述第二电压以上的耐压，并与所述第二电源并联连接。
IPC结构图谱:
| G | 物理 |
| --G01 | 测量；测试 |
| ----G01R | 测量电变量；测量磁变量（通过转换成电变量对任何种类的物理变量进行测量参见G01类名下的 |
| ------G01R31/00 | 电性能的测试装置；电故障的探测装置；以所进行的测试在其他位置未提供为特征的电测试装置 |
| --------G01R31/26 | .单个半导体器件的测试 |