基本信息:
- 专利标题： 磁性脉冲神经元器件及其应用
- 申请号：CN202411841578.X 申请日：2024-12-13
- 公开(公告)号：CN119698231A 公开(公告)日：2025-03-25
- 发明人： 曾中明 , 罗仁涓 , 方彬 , 刘澍晖
- 申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
- 申请人地址： 江苏省苏州市工业园区若水路398号
- 专利权人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
- 当前专利权人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
- 当前专利权人地址： 江苏省苏州市工业园区若水路398号
- 代理机构： 苏州三英知识产权代理有限公司
- 代理人： 黄晨
- 主分类号： H10N50/20
- IPC分类号： H10N50/20 ; H10N50/10 ; H10N59/00 ; G06N3/049 ; G06N3/063
摘要：
本申请公开了一种磁性脉冲神经元器件及其应用，器件包括：磁性隧道结，用于响应于驱动电信号发射尖峰脉冲电信号，磁性隧道结包括依次层叠设置的盖帽层、磁性自由层、势垒层、钉扎层以及反铁磁层，磁性自由层的磁化方向为面内取向；第一电极层；第二电极层；盖帽层和磁性自由层之间形成有大热阻交界面，大热阻交界面用于在驱动电信号作用产生热驱动自旋转移动力矩和热噪声，磁性自由层的磁化方向在热驱动自旋转移动力矩和驱动电信号产生的电驱动自旋转移动力矩作用下连续翻转。本申请的磁性脉冲神经元器件可在外加直流电压或脉冲电压的激发下产生可被调制的尖峰脉冲信号，显著节省面积并降低功耗。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H10 | 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件 |
| ----H10N | 其它不包括的电固态器件 |
| ------H10N50/00 | 电磁器件（霍尔效应器件H10N52/00） |
| --------H10N50/20 | .自旋极化电流控制器件 |