基本信息:
- 专利标题： Fe、Ni共掺杂的GaSb单晶薄膜的制备方法、检测方法及应用
- 申请号：CN202311281456.5 申请日：2023-09-28
- 公开(公告)号：CN119710933A 公开(公告)日：2025-03-28
- 发明人： 王海龙 , 邓治 , 赵建华 , 魏大海
- 申请人： 中国科学院半导体研究所
- 申请人地址： 北京市海淀区清华东路甲35号
- 专利权人： 中国科学院半导体研究所
- 当前专利权人： 中国科学院半导体研究所
- 当前专利权人地址： 北京市海淀区清华东路甲35号
- 代理机构： 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理人： 王文思
- 主分类号： C30B29/52
- IPC分类号： C30B29/52 ; C30B25/02 ; C30B25/18 ; C30B25/20 ; H10N52/00 ; H10N52/85
摘要：
本公开提供一种Fe、Ni共掺杂的GaSb单晶薄膜的制备方法、检测方法及应用，该制备方法包括：S1，采用分子束外延技术在脱氧后的半绝缘GaAs衬底(1)上外延一层GaAs缓冲层(2)；S2，在第一生长温度下，在GaAs缓冲层(2)上外延一层AlSb种子层(3)；S3，在AlSb种子层(3)上外延一层组分渐变的(Al,Ga)Sb隔绝层(4)；S4，在第二生长温度下，采用低温分子束外延技术在(Al,Ga)Sb隔绝层(4)上外延一层Fe、Ni共掺杂的GaSb薄膜(5)；S5，在Fe、Ni共掺杂的GaSb薄膜(5)上沉积一层GaSb盖层(6)，得到锑化物磁性半导体Ga