基本信息:
- 专利标题： 比较器电路、具有不同阈值电压耗尽型器件及其制作方法
- 申请号：CN202411799794.2 申请日：2024-12-09
- 公开(公告)号：CN119766210A 公开(公告)日：2025-04-04
- 发明人： 孙新宇 , 孙钱 , 钟耀宗 , 高宏伟 , 郭小路 , 陈昕 , 李方清 , 杨辉
- 申请人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
- 申请人地址： 江苏省苏州市工业园区若水路398号
- 专利权人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
- 当前专利权人： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
- 当前专利权人地址： 江苏省苏州市工业园区若水路398号
- 代理机构： 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
- 代理人： 李志
- 主分类号： H03K5/24
- IPC分类号： H03K5/24 ; H03K17/04 ; H03K17/687
摘要：
本发明公开了一种比较器电路、具有不同阈值电压耗尽型器件及其制作方法。兼具高开关速度、高电压比较范围、高精度的比较器电路包括：第一耗尽型HEMT、第二耗尽型HEMT、第三耗尽型HEMT、第一增强型HEMT和第二增强型HEMT，所述第一耗尽型HEMT和所述第三耗尽型HEMT的阈值电压相等且大于所述第二耗尽型HEMT的阈值电压，所述第一增强型HEMT和第二增强型HEMT的阈值电压相同。本发明实现的包含高低阈值电压耗尽型器件的比较器电路具有兼顾高开关速度和高电压比较范围和精度的特点。