基本信息:
- 专利标题： 一种半导体器件及其制造方法
- 申请号：CN202411943955.0 申请日：2024-12-26
- 公开(公告)号：CN119789497A 公开(公告)日：2025-04-08
- 发明人： 李永亮 , 周雨
- 申请人： 中国科学院微电子研究所
- 申请人地址： 北京市朝阳区北土城西路3号
- 专利权人： 中国科学院微电子研究所
- 当前专利权人： 中国科学院微电子研究所
- 当前专利权人地址： 北京市朝阳区北土城西路3号
- 代理机构： 北京知迪知识产权代理有限公司
- 代理人： 梁佳美
- 主分类号： H10D62/10
- IPC分类号： H10D62/10 ; H10D84/83 ; H10D84/03 ; H10D62/832
摘要：
本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域，用于简化制造具有不同阈值电压绝对值的至少五类环栅晶体管的制造过程，降低半导体器件的制造难度。所述半导体器件包括：半导体基底、以及设置在半导体基底上的至少五类环栅晶体管。不同类环栅晶体管沿平行于半导体基底表面的方向间隔分布。其中，不同类环栅晶体管中，不同沟道区包括的纳米结构的至少部分材料不同，且不同沟道区包括的纳米结构中材料不同的部分沿半导体基底的厚度方向交错分布。至少五类环栅晶体管中，属于至少两类环栅晶体管的不同沟道区包括的纳米结构的部分材料相同，且不同沟道区包括的纳米结构中材料相同的部分沿半导体基底的厚度方向对齐。