基本信息:
- 专利标题： 一种半导体结构的制作方法
- 申请号：CN202510273245.X 申请日：2025-03-10
- 公开(公告)号：CN119789507A 公开(公告)日：2025-04-08
- 发明人： 马亚强 , 周纪 , 冯孔孔 , 苏圣哲 , 罗钦贤
- 申请人： 合肥晶合集成电路股份有限公司
- 申请人地址： 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号
- 专利权人： 合肥晶合集成电路股份有限公司
- 当前专利权人： 合肥晶合集成电路股份有限公司
- 当前专利权人地址： 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号
- 代理机构： 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
- 代理人： 赵素香
- 主分类号： H10D84/03
- IPC分类号： H10D84/03 ; H10D84/83
摘要：
本发明提供了一种半导体结构的制作方法，应用于半导体技术领域。在本发明中，包括提供基底、形成多个相互分隔设置的栅极结构位于所述基底上以及位于其两侧侧壁上的间隙壁，其中，所述间隙壁和所述基底的表面包括至少含有氢元素、氧元素和硅元素的官能团，对所述间隙壁的表层及其两侧的所述基底的表层进行预处理，以使所述间隙壁的表层所包含的官能团数量与位于其两侧的所述基底的表层所包含的官能团的数量之差处于误差范围内，即通过减少和/或增加间隙壁的表层及其两侧的基底的表层中所含官能团的数量，调整间隙壁的表层及其两侧的基底的表层上官能团的分布密度，提高过渡氧化层的阶梯覆盖率和沉积速率。